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NTD4959N-1G

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NTD4959N-1G参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
包装数量:75
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 11.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1456pF @ 12V
功率 - 最大值:1.3W
安装类型:通孔

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